韩企推进存储半导体技术升级

韩国半导体龙头企业三星电子和SK海力士近期针对第六代10纳米级动态随机存取存储器（DRAM）进行技术升级。韩企

SK海力士于8月底宣布开发出业界首款第六代10纳米级DRAM芯片。推进体技该芯片运行速度为8Gbps（千兆比特/秒），存储与前一代相比速度提高了11%，半导将主要用于高性能数据中心。术升SK海力士表示，韩企该芯片比前一代的推进体技能效提高了9%以上，在当前人工智能蓬勃发展的存储时期，可帮助数据中心减少多达30%的半导电力成本。

三星电子半导体部门目前正在对干式光刻胶技术进行内部评估，术升计划率先将其应用于三星电子10纳米级第六代DRAM中。韩企干式光刻胶技术用于半导体电路曝光工艺之前。推进体技在当前曝光工艺条件下，存储会在晶圆上涂抹一种对光敏感的半导液体光刻胶。干式光刻胶技术则无需涂抹液体光刻胶，术升通过化学反应在晶圆上形成一层薄膜，较涂抹液体光刻胶更薄且更均匀。此外，干式光刻胶还能更精确地刻出超微细电路，并且相较液体光刻胶的材料浪费更少。

三星电子正在考虑在10纳米级第六代DRAM的40—50层堆叠中，将干式光刻胶技术用于某一层电路的制造。此外，这项技术也将用于超微细电路的极紫外光（EUV）光刻胶。如果三星电子成功将干式光刻胶技术用于量产，将对现有光刻材料与设备生态系统产生重大影响。