新的新的芯片芯片设计可能使智能手机的电池寿命长达一周

2021-12-15 16:52:00钱可胜导读IBM和三星宣布在半导体设计方面取得突破，这可能为晶体管密度比以往任何时候都大的设计使智寿命强大新处理器铺平道路。在一年一度的电池IEDM半导体会议上，两人发表了对一种新架构的长达研究，该架构将晶体管放置在垂直于芯片表面的新的芯片位置，并在两个方向上产生垂直电流。设计使智寿命该芯片架构称为VTFET，电池为垂直传输场效应晶体管。长达据IBM和三星称，新的芯片这种新颖的设计使智寿命方法展示了一条超越纳米片制造技

IBM和三星宣布在半导体设计方面取得突破，这可能为晶体管密度比以往任何时候都大的电池强大新处理器铺平道路。在一年一度的长达IEDM半导体会议上，两人发表了对一种新架构的新的芯片研究，该架构将晶体管放置在垂直于芯片表面的设计使智寿命位置，并在两个方向上产生垂直电流。电池该芯片架构称为VTFET，为垂直传输场效应晶体管。

据IBM和三星称，这种新颖的方法展示了一条超越纳米片制造技术的清晰路径，之后芯片上晶体管之间的距离降至小于1纳米(就上下文而言，人类DNA链的直径为2.5纳米)。

IBMResearch混合云和系统副总裁MukeshKhare博士说：“今天的技术公告是关于挑战传统，并重新思考我们如何继续推动社会进步并提供新的创新来改善生活并减少我们对环境的影响。”

“鉴于该行业目前在多个方面面临限制，IBM和三星正在展示我们对半导体设计联合创新的承诺以及对我们所谓的‘硬技术’的共同追求。”

摩尔定律继续存在

当今最主要的芯片架构被称为横向传输场效应晶体管(或FET)。例如，在鳍式场效应晶体管(finFET)架构下，晶体管被封装在芯片表面上，电流在它们之间横向流动。然而，使用VTFET，工程师可以使用额外的维度，电流向上和向下流动。

IBM解释说：“过去，设计人员通过缩小栅极间距和布线间距，将更多晶体管封装到芯片上。”“但对于最先进的finFET技术，间隔、栅极和触点的空间有限。”

“[VTFET]通过放宽对晶体管栅极长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制来解决缩放障碍，以便优化这些功能;无论是性能还是能耗。”

IBM表示，这一突破意义重大，主要有两个原因。首先，VTFET有望为摩尔定律(1965年做出的预测，芯片上的晶体管数量每年翻一番)的延续扫清道路，许多人认为这是不可能的。当然，晶体管的数量越多，芯片的功能就越强大——最终计算机、工作站、服务器等的功能也就越强大。

其次，据说VTFET允许更大的电流流动，而浪费的能量更少，与传统FET相比，这有助于将芯片消耗的能量减少多达85%。

就现实世界的影响而言，IBM表示基于VTFET架构的芯片可以为电池寿命超过一周的智能手机铺平道路，大大减少执行计算密集型工作负载(例如加密挖掘和数据加密)所需的能源)，和更多。