三星3nm芯片将于第二季度开始量产
导读 《科创板日报》29日讯，星nm芯三星电子周四宣布，于第将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，季度这也是开始首个使用环栅场效应晶体 《科创板日报》29日讯，三星电子周四宣布，量产将在本季度开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产，星nm芯这也是于第首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。“这是季度世界上首次大规模生产的GAA3纳米工艺，将以此提高技术领先地位。开始”三星在一份报告中写道。量产
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